IBM ontwikkelt alternatief voor Flash-geheugen

GS wordt echter beschreven met elektriciteit. De IBM-wetenschappers zijn erin geslaagd de digitale informatie op een GS-geheugencel te wijzigen door er een elektrisch stroompje doorheen te jagen.

Volgens IBM presteert deze geheugencel beter dan alternatieve prototypes op basis van andere legeringen. Bovendien kunnen GS-schakelingen gebouwd worden die vijfhonderd keer sneller zijn dan de huidige geheugenchip-schakelingen, in conventioneel Flash-geheugen op basis van NAND of NOR. Het nadeel van Flash-geheugen is dat gegevens alleen in blokken kunnen worden aangepast, en niet bit voor bit. Het door IBM ontwikkelde geheugen kan dat laatste wel en is daardoor breder toepasbaar. Ook verbruikt het IBM-geheugen maar half zoveel stroom als Flash.

Het voordeel van Flash-geheugen ten opzichte van DRAM of SRAM is dat alleen stroom nodig is om de opgeslagen informatie te wijzigen. Voor het bewaren zelf is geen stroom nodig. Het nadeel van Flash ten opzichte van DRAM en SRAM is echter dat veel meer tijd nodig is om het materiaal te beschrijven.

Daarnaast daalt de betrouwbaarheid van Flash-geheugencellen nadat ze ongeveer 100.000 keer beschreven zijn, wat Flash ongeschikt maakt als vervanger voor bijvoorbeeld harde schijven. Het nieuwe materiaal van IBM combineert de bovengenoemde voordelen van zowel DRAM en SRAM als Flash. IBM zegt in de nieuwe generatie van zijn PowerPC-servers mogelijk harde schijven te verwerken op basis van dit nieuwe materiaal.


Bron: www.computable.nl